电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

2SD1898R

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小122KB,共1页
制造商长电科技(JCET)
官网地址http://www.cj-elec.com/

江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务,为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市,成为国内首家半导体封测上市公司,现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站,是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件:二极管(开关二极管,肖特基二极管(肖特基整流管),稳压二极管,Pin二极管,TVS二极管,整流二极管,快恢复二极管);晶体管(达林顿管,数字晶体管,MOSFET);晶闸管:可控硅整流器,三端双向可控硅;复合管:晶体管+场效应管,双晶体管,双数字晶体管,数字晶体管+晶体管,晶体管+二极管,场效应管+二极管,双场效应管。稳压电路;节能灯充电器开关管

引线框架:TO系列(TO);SOD系列(SOD);SOT系列(TSOT,SOT);FBP系列(WBFBP);QFN系列(QFNWB,DFNWB,DFNFC,QFNFC);QFP系列(LQFP:PQFP:PLCC:TQFP);SIP系列(SIP,HSIP,FSIP);SOP系列(SOP,HSOP,SSOP,MSOP,HTSOP,TSSOP);DIP系列(DIP,FDIP,SDIP);PDFN系列;PQFN系列;MIS系列(MISFC,MISWB)

九大核心技术:硅穿孔(TSV)封装技术;SiP射频封装技术;圆片级三维再布线封装工艺技术;铜凸点互连技术;高密度FC-BGA封测技术(Flip Chip BGA);多圈阵列四边无引脚封测技术;封装体三维立体堆叠技术;50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术;MEMS多芯片封装技术;MIS封装技术(预包封互联系统);BGA封装技术等。

 

 

下载文档 详细参数 全文预览

2SD1898R概述

Transistor

2SD1898R规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
Base Number Matches1

2SD1898R文档预览

下载PDF文档
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors
SOT-89-3L
2SD1898
TRANSISTOR (NPN)
1. BASE
FEATURES
High Breakdown Voltage and Current
Excellent DC Current Gain Linearity
Complement the 2SB1260
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
MAXIMUM RATINGS (T
a
=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance From Junction To Ambient
Junction Temperature
Storage Temperature
Value
100
80
5
1
500
250
150
-55~+150
2. COLLECTOR
3. EMITTER
Unit
V
V
V
A
mW
℃/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
C
ob
Test
conditions
Min
100
80
5
1
1
82
100
20
390
0.4
V
MHz
pF
Typ
Max
Unit
V
V
V
µA
µA
I
C
=50µA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=50µA,I
C
=0
V
CB
=80V,I
E
=0
V
EB
=4V,I
C
=0
V
CE
=3V, I
C
=500mA
I
C
=500mA,I
B
=20mA
V
CE
=10V,I
C
=50mA, f=100MHz
V
CB
=10V, I
E
=0, f=1MHz
CLASSIFICATION OF
h
FE
RANK
RANGE
MARKING
P
82–180
Q
120–270
DF
R
180–390
A,Nov,2010
430URT波特率计算软件
嘿嘿,一款计算波特率软件,分享一下,挺好用的! 108778...
wanglin0515 TI技术论坛
在硬盘中,每个磁道的面积是相同的吗?如果不是,那各磁道之间容量的关系是什么?
在硬盘中,每个磁道的面积是相同的吗?如果不是,那各磁道之间容量的关系是什么? 谢谢...
XULAODA 嵌入式系统
整流器的技术以及特点
为了提高输入电压和频率的范围及延长电池寿命,POWERWARE UPS电源三相输入采用了最新的三相二极管桥堆整流+IGBT升压电路(BOOST升压)。 由于IGBT的高速开关能力和简单的电压驱动方式,UPS整 ......
fish001 模拟与混合信号
请教高手,在用PADS layout画多层板时,贴片元件怎么连接到内部的电源层(已分割)
请教高手,在用PADS layout画多层板时,贴片元件怎么连接到内部的电源层(电源层已经分割),需要详细的操作步骤。谢谢! 小弟试了好多方法都没能成功。哪位大侠能给小弟指点指点,。本人QQ:6519 ......
Guilinlinxi PCB设计
z-stack路由表
请问各位协议栈里关于路由表那部分代码是开放的吗,如何获得路由表的数据呢,十分感谢……...
烛坤12 无线连接
求购一个可以烧写LabVIEW的板子,便宜点
求购一个可以烧写LabVIEW的板子,便宜点 ,不知道什么板子比较好,听说LM38S8962可以...
paopaofan 淘e淘
小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved