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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD1898-P-TP-HF
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2SD1898-P-TP-HF

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小226KB，共2页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准
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2SD1898-P-TP-HF概述

Small Signal Bipolar Transistor,

2SD1898-P-TP-HF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JESD-30 代码R-PSSO-F3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.4 V
Base Number Matches1

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MCC
TM
Micro Commercial Components
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
2SD1898-P
2SD1898-Q
2SD1898-R
Features
•
•
•
•
•
•
Halogen
free available upon request by adding suffix "-HF"
High V
CEO
, V
CEO
=80V
High I
C
, I
C
=1.0A(DC)
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates
RoHS Compliant. See ordering information)
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
Moisure Sensitivity Level 1
NPN Silicon
Power Transistors























Maximum Ratings

Symbol
Rating
Value
Unit

V
CEO
Collector-Emitter Voltage
80
V

V
CBO
Collector-Base Voltage
100
V

V
EBO
Emitter-Base Voltage
5.0
V

I
C
Collector Current, DC
1.0
A

Pulse
(1)
2.0

P
C
Collector Power Dissipation
(2)
0.5
W

2.0
O

T
J
Junction Temperature
-55 to +150
C
O
T
STG
Storage Temperature
-55 to +150
C

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units


OFF CHARACTERISTICS

V
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
80
---
---
Vdc

(I
C
=1.0mAdc)

V
CBO
Collector-Base Breakdow n Voltage
100
---
---
Vdc

(I
C
=50uAdc)

V
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
5.0
---
---
Vdc
(I
E
=50uAdc)

I
CBO
Collector Cutoff Current
---
---
1.0
uAdc

(V
CB
=80Vdc)

I
E BO
Emitter Cutoff Current
---
---
1.0
uAdc

(V
EB
=4.0Vdc, I
C
=0)
h
FE
DC Current Transfer Ratio
(3)
82
(V
CE
=3.0Vdc, I
C
=0.5Adc)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
---
(I
C
/I
B
=500mA/20mA)
f
T
Transition Frequency
---
(V
CE
=10Vdc, I
E
=50mAdc,
f=100MHz)
C
ob
Output Capacitance
---
(V
CB
=10Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
(1) Pw=20ms, duty=1/2
(2) When mounted on a 40x40x0.7mm ceramic board.
(3) Measured using pulse current
---
0.15
100
390
0.4
---
---
SOT-89
A
B
K
E
C
D
G
H
J
F
1
2
3
1. OUT
2. GND
3. IN

Vdc
MHz
20
---
pF











 


 

 




1.55

.061




25

































REF.








CLASSIFICATION OF h
FE
Rank
Range
Marking
P
82-180
Q
120-270
DF
R
180-390
www.mccsemi.com
Revision:
B
1 of 2
2013/01/01

2SD1898-P-TP-HF相似产品对比

2SD1898-P-TP-HF 2SD1898-P-TP 2SD1898-Q-TP 2SD1898-Q-TP-HF 2SD1898-R-TP 2SD1898-R-TP-HF
描述 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SOT-89, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 82 82 120 120 180 180
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W 0.5 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 10 NOT SPECIFIED 10
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.4 V 0.4 V 0.4 V 0.4 V 0.4 V 0.4 V
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

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