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2SC5376CT-B

产品描述TRANSISTOR 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小160KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC5376CT-B概述

TRANSISTOR 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

2SC5376CT-B规格参数

参数名称属性值
包装说明CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.4 A
集电极-发射极最大电压12 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)500
JESD-30 代码R-XBCC-N3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
Base Number Matches1

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2SC5376CT
TOSHIBA Transistor
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process)
2SC5376CT
General Purpose Amplifier Applications
Switching and Muting Switch Applications
0.6±0.05
0.5±0.03
Unit: mm
Large collector current: I
C
= 400 mA (max)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
(Note1)
T
j
T
stg
Rating
15
12
5
400
50
100
150
−55
to 150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.25±0.03
0.35±0.02
0.15±0.03
0.65±0.02
0.05±0.03
@I
C
= 10 mA/I
B
= 0.5 mA
1.0±0.05
CST3
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-1J1A
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high
temperature/current/voltage and the significant change in
Weight: 0.75 mg (typ.)
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
Note1 : Mounted on FR4 board (10 mm
×
10 mm
×
1 mm)
Marking
Type Name
h
FE
Rank
1
7J
2
3
1
2010-04-18
0.38 +0.02
-0.03
0.05±0.03
Low saturation voltage: V
CE (sat) (1)
= 15 mV (typ.)
0.25±0.03

2SC5376CT-B相似产品对比

2SC5376CT-B 2SC5376CT 2SC5376CT-A
描述 TRANSISTOR 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal TRANSISTOR 400 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CST3, 2-1J1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
包装说明 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.4 A 0.4 A 0.4 A
集电极-发射极最大电压 12 V 12 V 12 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 500 300 300
JESD-30 代码 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3 R-XBCC-N3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
极性/信道类型 NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 140 MHz 140 MHz 140 MHz
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