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2SD1357

产品描述TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小147KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SD1357概述

TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR

2SD1357规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)7 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)2000
JESD-609代码e0
最高工作温度140 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

2SD1357相似产品对比

2SD1357 2SD1358 2SD1359
描述 TRANSISTOR,BJT,NPN,100V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,80V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR TRANSISTOR,BJT,NPN,60V V(BR)CEO,7A I(C),TO-220VAR
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 7 A 7 A 7 A
配置 Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 2000 2000 2000
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 140 °C 140 °C 140 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W 30 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1 1
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