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2SK1975F31

产品描述Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小86KB,共2页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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2SK1975F31概述

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

2SK1975F31规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压450 V
最大漏极电流 (ID)10 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值80 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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