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2SK881-YTE85L

产品描述TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小105KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SK881-YTE85L概述

TRANSISTOR VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal

2SK881-YTE85L规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
其他特性CASCODE J-FET
配置SINGLE
FET 技术JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)0.15 pF
最高频带VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

 
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