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2SD1138D

产品描述2A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小41KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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2SD1138D概述

2A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

2SD1138D规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220AB
包装说明TO-220AB, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)30 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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To all our customers
Regarding the change of names mentioned in the document, such as Hitachi
Electric and Hitachi XX, to Renesas Technology Corp.
The semiconductor operations of Mitsubishi Electric and Hitachi were transferred to Renesas
Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog
and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)
Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand
names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas
Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and
corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and
these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.
Renesas Technology Home Page: http://www.renesas.com
Renesas Technology Corp.
Customer Support Dept.
April 1, 2003

2SD1138D相似产品对比

2SD1138D 2SD1138B 2SD1138C
描述 2A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN 2A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN 2A, 150V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
包装说明 TO-220AB, 3 PIN TO-220AB, 3 PIN TO-220AB, 3 PIN
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compli compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 150 V 150 V 150 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 60 100
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W 30 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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