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2SC4523TP-FA: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小89KB，共4页; 制造商SANYO; 官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html

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2SC4523TP-FA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4 PIN

2SC4523TP-FA规格参数

参数名称	属性值
Objectid	1543717461
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A
集电极-发射极最大电压	45 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz
最大关闭时间（toff）	620 ns
最大开启时间（吨）	100 ns

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Ordering number:EN3142A

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors

2SC4523

High-Speed Switching Applications

Features

· Adoption of FBET, MBIT process.

· Large current capacity.

· Low collector-to-emitter saturation voltage.

· Fast switching speed.

Package Dimensions

unit:mm

2045B

[2SC4522]

1.5

6.5

5.0

2.3

0.5

0.85

0.7

5.5

7.0

0.8

1.6

1.2

0.6

0.5

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

SANYO : TP

2.3

unit:mm

2044B

6.5

5.0

[2SC4522]

2.3

1.5

7.5

0.5

5.5

7.0

0.85

0.6

0.8

0.5

2.5

1.2

0~0.2

1 : Base

2 : Collector

3 : Emitter

4 : Collector

SANYO : TP-FA

2.3

Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle

applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s

control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious

physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using

any SANYO products described or contained herein in such applications.

SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that

exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other

parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained

herein.

SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters

TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN

11299HA (KT)/7130MH/7059MO, TS No.3142–1/4

2SC4523

Specifications of any and all SANYO products described or contained herein stipulate the performance,

characteristics, and functions of the described products in the independent state, and are not guarantees

of the performance, characteristics, and functions of the described products as mounted in the customer's

products or equipment. To verify symptoms and states that cannot be evaluated in an independent device,

the customer should always evaluate and test devices mounted in the customer's products or equipment.

SANYO Electric Co., Ltd. strives to supply high-quality high-reliability products. However, any and all

semiconductor products fail with some probability. It is possible that these probabilistic failures could

give rise to accidents or events that could endanger human lives, that could give rise to smoke or fire,

or that could cause damage to other property. When designing equipment, adopt safety measures so

that these kinds of accidents or events cannot occur. Such measures include but are not limited to protective

circuits and error prevention circuits for safe design, redundant design, and structural design.

In the event that any or all SANYO products(including technical data,services) described or

contained herein are controlled under any of applicable local export control laws and regulations,

such products must not be expor ted without obtaining the expor t license from the authorities

concerned in accordance with the above law.

No part of this publication may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or

mechanical, including photocopying and recording, or any information storage or retrieval system,

or otherwise, without the prior written permission of SANYO Electric Co., Ltd.

Any and all information described or contained herein are subject to change without notice due to

product/technology improvement, etc. When designing equipment, refer to the "Delivery Specification"

for the SANYO product that you intend to use.

Information (including circuit diagrams and circuit parameters) herein is for example only ; it is not

guaranteed for volume production. SANYO believes information herein is accurate and reliable, but

no guarantees are made or implied regarding its use or any infringements of intellectual property rights

or other rights of third parties.

This catalog provides information as of January, 1999. Specifications and information herein are subject

to change without notice.

PS No.3142–4/4

2SC4523TP-FA相似产品对比

	2SC4523TP-FA	2SC4523RTP	2SC4523RTP-FA	2SC4523STP	2SC4523STP-FA	2SC4523TTP	2SC4523TTP-FA	2SC4523TP
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP-FA, 4 PIN	Small Signal Bipolar Transistor, 8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TP, 3 PIN
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	4	3	4	3	4	3	4	3
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A	8 A
集电极-发射极最大电压	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V	45 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	100	100	140	140	200	200	40
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	3	2	3	2	3	2	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES	NO	YES	NO	YES	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz	250 MHz
最大关闭时间（toff）	620 ns	620 ns	620 ns	620 ns	620 ns	620 ns	620 ns	620 ns
最大开启时间（吨）	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
Objectid	1543717461	-	1543717457	1543717460	1543717459	1543717464	1543717463	1543717462
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	-
最大功率耗散 (Abs)	-	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	-

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