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2SC3359STPR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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2SC3359STPR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN

2SC3359STPR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
Base Number Matches1

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Transistors
2SD1949 / 2SD1484K / 2SC1741S
2SC3359S
(96-678-D15)
(SPEC-D16)
318

2SC3359STPR相似产品对比

2SC3359STPR 2SC3359STPQ
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.3 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 120
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 150 MHz 150 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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