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2SK1865(2-10S2B)

产品描述TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小280KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SK1865(2-10S2B)概述

TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power

2SK1865(2-10S2B)规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220SM
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.7 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SK1865(2-10S2B)相似产品对比

2SK1865(2-10S2B) 2SK1865(2-10S1B)
描述 TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power TRANSISTOR 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220FL, 3 PIN, FET General Purpose Power
零件包装代码 TO-220SM TO-220FL
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 12 A 12 A
最大漏源导通电阻 0.7 Ω 0.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 48 A 48 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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