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2N3965

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小48KB,共1页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数

2N3965概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18

2N3965规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.36 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)50 MHz
Base Number Matches1
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