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2SD1114(K)

产品描述6A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小62KB,共3页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD1114(K)概述

6A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB

2SD1114(K)规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压300 V
配置DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)500
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2SD1114(K)相似产品对比

2SD1114(K)
描述 6A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compli
ECCN代码 EAR99
外壳连接 COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A
集电极-发射极最大电压 300 V
配置 DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 500
JEDEC-95代码 TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1

 
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