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2SK1817MR

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小108KB,共1页
制造商Fuji Electric Co Ltd
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2SK1817MR概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN

2SK1817MR规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-220F15
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.12 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值40 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)680 ns
最大开启时间(吨)83 ns
Base Number Matches1

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