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2SC3298B-Y

产品描述TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SC3298B-Y概述

TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SC3298B-Y规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1.5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值20 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1

2SC3298B-Y相似产品对比

2SC3298B-Y 2SC3298B-O
描述 TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 1.5 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
Reach Compliance Code unknow unknow
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
集电极-发射极最大电压 200 V 200 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 120 70
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 20 W 20 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 1.5 V 1.5 V
Base Number Matches 1 1
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