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2SD2155O: 产品描述TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小97KB，共2页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SD2155O概述

TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power

2SD2155O规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	15 A
集电极-发射极最大电压	180 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	NOT SPECIFIED
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz
VCEsat-Max	2 V
Base Number Matches	1

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2SD2155O相似产品对比

	2SD2155O	2SD2155-O	2SD2155-R	2SD2155R
描述	TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power	TRANSISTOR 15 A, 180 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, 2-21F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Power
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	2-21F1A, 3 PIN	2-21F1A, 3 PIN	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	15 A	15 A	15 A	15 A
集电极-发射极最大电压	180 V	180 V	180 V	180 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	30	80	55	30
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	150 W	150 W	150 W	150 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
VCEsat-Max	2 V	2 V	2 V	2 V
Base Number Matches	1	1	1	1

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