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2SK669-AP

产品描述100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小99KB,共1页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK669-AP概述

100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

2SK669-AP规格参数

参数名称属性值
Objectid1412302046
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW NOISE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (ID)0.1 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层NOT SPECIFIED
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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