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2SD1272P

产品描述Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SD1272P概述

Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3

2SD1272P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2.5 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)800
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)25 MHz
Base Number Matches1

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Power Transistors
2SD1272
Silicon NPN epitaxial planar type
For high-speed switching and high current amplification ratio
0.7
±0.1
Unit: mm
10.0
±0.2
5.5
±0.2
4.2
±0.2
4.2
±0.2
2.7
±0.2
Features
High forward current transfer ratio h
FE
Satisfactory linearity of forward current transfer ratio h
FE
Full-pack package which can be installed to the heat sink with one screw
16.7
±0.3
7.5
±0.2
φ
3.1
±0.1
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25°C
Parameter
Collector-base voltage (Emitter open)
Collector-emitter voltage (Base open)
Emitter-base voltage (Collector open)
Collector current
Peak collector current
Collector power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
T
C
=
25°C
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
stg
Rating
200
150
6
2.5
1
40
2.0
150
−55
to
+150
°C
°C
Unit
V
V
V
A
A
W
1 2 3
Solder Dip
(4.0)
14.0
±0.5
1.4
±0.1
1.3
±0.2
0.5
+0.2
–0.1
0.8
±0.1
2.54
±0.3
5.08
±0.5
1: Base
2: Collector
3: Emitter
EIAJ: SC-67
TO-220F-A1 Package
Electrical Characteristics
T
a
=
25°C
±
3°C
Parameter
Collector-emitter voltage (Base open)
Collector-base cutoff current (Emitter open)
Emitter-base cutoff current (Collector open)
Forward current transfer ratio
*
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
Symbol
V
CEO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
f
T
Conditions
I
C
= 25 mA, I
B
= 0
V
CB
=
200 V, I
E
=
0
V
EB
=
6 V, I
C
=
0
V
CE
=
4 V, I
C
=
0.2 A
I
C
=
0.5 A, I
B
=
0.02 A
V
CE
=
4 V, I
C
=
0.1 A, f
=
10 MHz
25
500
Min
150
100
100
2 000
1
Typ
Max
Unit
V
µA
µA
V
MHz
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.
2. *: Rank classification
Rank
h
FE
Q
500 to 1 200
P
800 to 2 000
Publication date: February 2003
SJD00186BED
1

2SD1272P相似产品对比

2SD1272P 2SD1272Q
描述 Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3 Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
是否Rohs认证 符合 符合
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 2.5 A 2.5 A
集电极-发射极最大电压 150 V 150 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 800 500
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 25 MHz 25 MHz
Base Number Matches 1 1
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