Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 零件包装代码 | TO-3P |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 2 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 50 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间(toff) | 220 ns |
| 最大开启时间(吨) | 90 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SK1683 | FP3W90 | |
|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN |
| 零件包装代码 | TO-3P | TO-3P |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 900 V | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 3 A | 3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 5 Ω | 5 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 50 W | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 6 A | 6 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 最大关闭时间(toff) | 220 ns | 220 ns |
| 最大开启时间(吨) | 90 ns | 90 ns |
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