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2SK1683

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共2页
制造商SHINDENGEN
官网地址https://www.shindengen.com
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2SK1683概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN

2SK1683规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TO-3P
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级2
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值50 W
最大功率耗散 (Abs)50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)6 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)220 ns
最大开启时间(吨)90 ns
Base Number Matches1

2SK1683相似产品对比

2SK1683 FP3W90
描述 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ITO-3P, 3 PIN
零件包装代码 TO-3P TO-3P
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknown
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 900 V 900 V
最大漏极电流 (ID) 3 A 3 A
最大漏源导通电阻 5 Ω 5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
功耗环境最大值 50 W 50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 6 A 6 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 220 ns 220 ns
最大开启时间(吨) 90 ns 90 ns
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