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25C640/P

产品描述8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
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文件大小402KB,共12页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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25C640/P概述

8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8

25C640/P规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES
最大时钟频率 (fCLK)3 MHz
数据保留时间-最小值200
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.4 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.064 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.005 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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