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2SK25398

产品描述50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SK25398概述

50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET

2SK25398规格参数

参数名称属性值
Objectid1484020772
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
最大漏极电流 (ID)0.05 A
FET 技术JUNCTION
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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Ordering number:ENN5075
N-Channel Junction Silicon FET
2SK2539
High-Frequency Amplifier,
Analog Switch Applications
Features
· Large | y
fs
|.
· Small Ciss.
· Small-sized package permitting 2SK2539-applied
sets to be made small and slim.
· Adoption of FBET process.
Package Dimensions
unit:mm
2050A
[2SK2539]
0.5
0.4
3
0.16
0 to 0.1
1
0.95 0.95
2
1.9
2.9
0.5
1.5
2.5
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta = 25˚C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Drain Voltage
Gate Current
Drain Current
Allowable Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSX
VGDS
IG
ID
PD
Tj
Tstg
Conditions
1 : Source
2 : Drain
3 : Gate
SANYO : CP
0.8
1.1
Ratings
15
–15
5
50
200
150
–55 to +150
Unit
V
V
mA
mA
mW
˚C
˚C
Electrical Characteristics
at Ta = 25˚C
Parameter
Gate-to-Drain Breakdown Voltage
Gate-to-Source Leakage Current
Zero-Gate Voltage Drain Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Symbol
V(BR)GDS IG=–10µA, VDS=0
IGSS
IDSS
VGS(off)
| yfs |1
| yfs |2
VGS=–10V, VDS=0
VDS=5V, VGS=0
VDS=5V, ID=10µA
VDS=5V, ID=10mA, f=1kHz
VDS=5V, VGS=0, f=1kHz
10.0*
–0.6
14
14
–1.4
21
29
Conditions
Ratings
min
–15
–1.0
50.0*
–3.0
typ
max
Unit
V
nA
mA
V
mS
mS
* : The 2SK2539 is classified by I
DSS
as follows : (unit : mA)
10.0
6
20.0
16.0
7
32.0
25.0
8
50.0
Continued on next page.
Marking : AK
I
DSS
rank : 6, 7, 8
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft’s
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using
any SANYO products described or contained herein in such applications.
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges,or other
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained
herein.
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN
82599TH (KT)/32295TS (KOTO) TA-0214 No.5075–1/3

2SK25398相似产品对比

2SK25398 2SK25396 2SK25397
描述 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET 50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.05 A 0.05 A 0.05 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Objectid 1484020772 1484020766 -
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