2SD1005BU-T1,2SD1005BU-T1 pdf中文资料,2SD1005BU-T1引脚图,2SD1005BU-T1电路-Datasheet-电子工程世界

2SD1005BU-T1: 产品描述1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小212KB，共4页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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2SD1005BU-T1概述

1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN

	2SD1005BU-T1	2SD1005BV-T1	2SD1005BW-T1
描述	1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN	1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN	1A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, POWER, MINIMOLD, SC-62, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SC-62	SC-62	SC-62
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200	135	90
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
湿度敏感等级	1	1	1
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	2 W	2 W	2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	160 MHz	160 MHz	160 MHz
Base Number Matches	1	1	1

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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