Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SD1529 | 2SD1529P | 2SD1529R | 2SD1529Q | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | Transistor | Transistor | Transistor |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 最大集电极电流 (IC) | 3 A | 3 A | 3 A | 3 A |
| 配置 | SINGLE | Single | Single | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 130 | 60 | 90 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 1.3 W | 1.3 W | 1.3 W | 1.3 W |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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