Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SD2136R(TO-126)

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2SD2136R(TO-126): 产品描述Transistor; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小107KB，共1页; 制造商长电科技(JCET); 官网地址http://www.cj-elec.com/; 江苏长电科技股份有限公司专注于半导体封装测试业务，为海内外客户提供芯片测试、封装设计、封装测试等全套解决方案。公司于2003年在上海主板成功上市，成为国内首家半导体封测上市公司，现已拥有国家级企业技术中心、博士后科研工作站，是国家重点高新技术企业、高密度集成电路国家工程实验室依托单位及集成电路封装技术创新战略联盟的理事长单位。

分立器件：二极管（开关二极管，肖特基二极管（肖特基整流管），稳压二极管，Pin二极管，TVS二极管，整流二极管，快恢复二极管）；晶体管（达林顿管，数字晶体管，MOSFET）；晶闸管：可控硅整流器，三端双向可控硅；复合管：晶体管+场效应管，双晶体管，双数字晶体管，数字晶体管+晶体管，晶体管+二极管，场效应管+二极管，双场效应管。稳压电路；节能灯充电器开关管

引线框架：TO系列（TO）；SOD系列（SOD）；SOT系列（TSOT，SOT）；FBP系列（WBFBP）；QFN系列（QFNWB，DFNWB，DFNFC，QFNFC）；QFP系列（LQFP：PQFP：PLCC：TQFP）；SIP系列（SIP，HSIP，FSIP）；SOP系列（SOP，HSOP，SSOP，MSOP，HTSOP，TSSOP）；DIP系列（DIP，FDIP，SDIP）；PDFN系列；PQFN系列；MIS系列（MISFC，MISWB）

九大核心技术：硅穿孔（TSV）封装技术；SiP射频封装技术；圆片级三维再布线封装工艺技术；铜凸点互连技术；高密度FC-BGA封测技术（Flip Chip BGA）；多圈阵列四边无引脚封测技术；封装体三维立体堆叠技术；50μm以下超薄芯片三维立体堆叠封装技术；MEMS多芯片封装技术；MIS封装技术(预包封互联系统)；BGA封装技术等。

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2SD2136R(TO-126)概述

Transistor

2SD2136R(TO-126)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknow
最大集电极电流 (IC)	3 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	120
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1.25 W
表面贴装	NO
Base Number Matches	1

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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

2SD2136

TRANSISTOR (NPN)

TO – 126

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES

High Forward Current Transfer Ratio h

Which has

Satisfactory Linearity.

Low Collector-Emitter Saturation Voltage V

CE(sat)

Allowing Supply with the Radial Taping

MAXIMUM RATINGS (T

=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

CBO

CEO

EBO

θJA

stg

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

Storage Temperature

Value

1.25

100

150

-55~+150

Unit

℃/W

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T

=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter voltage

Transition frequency

*Pulse test: pulse width

≤300μs,

duty cycle≤ 2.0%.

Symbol

(BR)CBO

(BR)CEO

CBO

CEO

EBO

FE(1) *

FE(2)

CE(sat)

Test

conditions

Min

Typ

Max

Unit

=100µA,I

=30mA,I

= 100µA,I

=60V,I

=6V,I

=4V, I

=1A

=4V, I

=3A

=3A,I

=0.375A

=4V, I

=3A

=5V,I

=0.1A, f=10MHz

(BR)EBO

200

300

1.2

1.8

250

μA

MHz

CLASSIFICATION OF h

FE(1)

RANK

RANGE

40-90

70-150

120-250

A,Dec,2010

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