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IRF644NSTRL: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小122KB，共11页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 250V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	180 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	14 A
最大漏极电流 (ID)	14 A
最大漏源导通电阻	0.24 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	56 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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