IRFD220: 产品描述800mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小820KB，共7页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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IRFD220概述

800mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET

IRFD220规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	0.8 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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IRFD220相似产品对比

	IRFD220	IRFD221	IRFD223
描述	800mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	800mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET	700mA, 150V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	150 V	150 V
最大漏极电流 (ID)	0.8 A	0.8 A	0.7 A
最大漏源导通电阻	0.8 Ω	0.8 Ω	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDIP-T3	R-PDIP-T3	R-PDIP-T3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	Rochester Electronics	-	Rochester Electronics
是否无铅	-	含铅	含铅
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
JESD-609代码	-	e0	e0
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
端子面层	-	TIN LEAD	TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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