2SC3138YTE85L,2SC3138YTE85L pdf中文资料,2SC3138YTE85L引脚图,2SC3138YTE85L电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 2SC3138YTE85L

2SC3138YTE85L: 产品描述TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小63KB，共2页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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2SC3138YTE85L概述

TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal

2SC3138YTE85L规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
基于收集器的最大容量	4 pF
集电极-发射极最大电压	200 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120
JEDEC-95代码	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz
VCEsat-Max	0.5 V
Base Number Matches	1

2SC3138YTE85L相似产品对比

	2SC3138YTE85L	2SC3138OTE85R	2SC3138OTE85L	2SC3138YTE85R	2SC3138TE85R	2SC3138TE85L
描述	TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 50 mA, 200 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236, BIP General Purpose Small Signal
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
基于收集器的最大容量	4 pF	4 pF	4 pF	4 pF	4 pF	4 pF
集电极-发射极最大电压	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	120	70	70	120	70	70
JEDEC-95代码	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236	TO-236
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz	100 MHz
VCEsat-Max	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V	0.5 V
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1

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