AM28F010-150LEB,AM28F010-150LEB pdf中文资料,AM28F010-150LEB引脚图,AM28F010-150LEB电路-Datasheet-电子工程世界

AM28F010-150LEB: 产品描述Flash, 128KX8, 150ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32; 产品类别存储存储; 文件大小3MB，共35页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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AM28F010-150LEB概述

Flash, 128KX8, 150ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

参数名称	属性值
厂商名称	Rochester Electronics
包装说明	QCCN,
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	150 ns
其他特性	BULK ERASE
JESD-30 代码	R-CQCC-N32
JESD-609代码	e0
长度	13.97 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QCCN
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
编程电压	12 V
座面最大高度	2.54 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
类型	NOR TYPE
宽度	11.43 mm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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