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2SC3553DTZ

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共3页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SC3553DTZ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPAK-3

2SC3553DTZ规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JESD-30 代码R-PSIP-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)230 MHz
Base Number Matches1
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