JANSR2N7500U5,JANSR2N7500U5 pdf中文资料,JANSR2N7500U5引脚图,JANSR2N7500U5电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> JANSR2N7500U5

JANSR2N7500U5: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 130V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小236KB，共24页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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JANSR2N7500U5概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 130V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

JANSR2N7500U5规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99

JANSR2N7500U5相似产品对比

	JANSR2N7500U5	JANSR2N7501U5	JANTXVR2N7500U5	JANTXVR2N7501U5
描述	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 130V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 130V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18	Power Field-Effect Transistor, 6.3A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LCC-18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
包装说明	-	CHIP CARRIER, S-CBCC-N15	CHIP CARRIER, S-CBCC-N15	CHIP CARRIER, S-CBCC-N15
其他特性	-	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED	RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）	-	40 mJ	56 mJ	40 mJ
配置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	-	200 V	130 V	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	6.3 A	9 A	6.3 A
最大漏极电流 (ID)	-	6.3 A	9 A	6.3 A
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	-	S-CBCC-N15	S-CBCC-N15	S-CBCC-N15
JESD-609代码	-	e0	e0	e0
元件数量	-	1	1	1
端子数量	-	15	15	15
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	-	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	-	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	-	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	-	25 W	25 W	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	25.2 A	36 A	25.2 A
认证状态	-	Qualified	Qualified	Qualified
参考标准	-	MIL-19500/707	MIL-19500/707	MIL-19500/707
表面贴装	-	YES	YES	YES
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON

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器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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