电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

2SC5024B

产品描述0.2A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SC5024B概述

0.2A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

2SC5024B规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

2SC5024B相似产品对比

2SC5024B 2SC5024C
描述 0.2A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR 0.2A, 200V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
Reach Compliance Code compli compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 200 V 200 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 100
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
Base Number Matches 1 1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 112  858  868  1255  1273 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved