K4N26323AE-GC200,K4N26323AE-GC200 pdf中文资料,K4N26323AE-GC200引脚图,K4N26323AE-GC200电路-Datasheet-电子工程世界

K4N26323AE-GC200: 产品描述DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144; 产品类别存储存储; 文件大小825KB，共52页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档详细参数选型对比全文预览

K4N26323AE-GC200概述

DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA,
针数	144
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B144
长度	13 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	144
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS
组织	4MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	13 mm

	K4N26323AE-GC200	K4N26323AE-GC250	K4N26323AE-GC220
描述	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144	DDR DRAM, 4MX32, CMOS, PBGA144, FBGA-144
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA,	LFBGA,	LFBGA,
针数	144	144	144
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144	S-PBGA-B144
长度	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	144	144	144
字数	4194304 words	4194304 words	4194304 words
字数代码	4000000	4000000	4000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
组织	4MX32	4MX32	4MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.6 V	2.6 V	2.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.4 V	2.4 V	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	13 mm	13 mm	13 mm

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多