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2SA1627M-AZ

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小272KB,共4页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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2SA1627M-AZ概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR

2SA1627M-AZ规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

2SA1627M-AZ相似产品对比

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描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR TRANSISTOR,BJT,PNP,600V V(BR)CEO,1A I(C),TO-92VAR
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compli compli compli compli
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single Single Single Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 60 40 40 40 30 30
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W 1 W
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1

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