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2SD1161P6

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小569KB,共7页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

2SD1161P6概述

Transistor

2SD1161P6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Objectid101392438
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.03 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)100 MHz

2SD1161P6相似产品对比

2SD1161P6 2SD1161 2SD1161P4 2SD1161P5
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
Objectid 101392438 101392436 101392436 101392437
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.03 A 0.03 A 0.03 A 0.03 A
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 200 90 90 135
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W 0.15 W 0.15 W
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz

 
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