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2SB1172Q

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SB1172Q概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN

2SB1172Q规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数4
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)70
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)30 MHz
Base Number Matches1

2SB1172Q相似产品对比

2SB1172Q 2SB1172AQ 2SB1172AP 2SB1172P
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, I-G1, 4 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V 80 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 70 70 120 120
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 1.3 W 1.3 W 1.3 W 1.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 30 MHz 30 MHz 30 MHz 30 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1
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