Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3
参数名称 | 属性值 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 2.5 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 18 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
Base Number Matches | 1 |
2SB1407(L) | 2SB1407(S) | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3 | Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3 |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow |
最大集电极电流 (IC) | 2.5 A | 2.5 A |
配置 | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 60 |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
端子数量 | 3 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 18 W | 18 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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