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2SB1407(L)

产品描述Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小30KB,共6页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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2SB1407(L)概述

Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3

2SB1407(L)规格参数

参数名称属性值
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)2.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
JESD-30 代码R-PSIP-T3
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)18 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

2SB1407(L)相似产品对比

2SB1407(L) 2SB1407(S)
描述 Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 3 Pin, DPAK-3 Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), PNP, Plastic/Epoxy, 2 Pin, DPAK-3
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 2.5 A 2.5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 60
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
端子数量 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 18 W 18 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1
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