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2SB1165Q

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共5页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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2SB1165Q概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126

2SB1165Q规格参数

参数名称属性值
包装说明,
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)70
最高工作温度140 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)20 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)180 MHz
Base Number Matches1

2SB1165Q相似产品对比

2SB1165Q 2SD1722Q
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126 TRANSISTOR,BJT,NPN,50V V(BR)CEO,5A I(C),TO-126
Reach Compliance Code compli compli
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 70 70
最高工作温度 140 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 20 W 20 W
表面贴装 NO NO
标称过渡频率 (fT) 180 MHz 180 MHz
Base Number Matches 1 1

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