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CHDTD123EKGP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共3页
制造商CHENMKO
官网地址http://www.chenmko.com/
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CHDTD123EKGP概述

Small Signal Bipolar Transistor,

CHDTD123EKGP规格参数

参数名称属性值
厂商名称CHENMKO
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD
SURFACE MOUNT
NPN Digital Silicon Transistor
VOLTAGE 50 Volts
APPLICATION
* Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver circuit.
CHDTD123EKGP
CURRENT 500 mAmpere
FEATURE
* Small surface mounting type. (SOT-23)
* High current gain.
* Suitable for high packing density.
* Low colloector-emitter saturation.
* High saturation current capability.
* Internal isolated NPN transistors in one package.
* Built in bias resistor(R1=4.7kΩ, Typ. )
.041 (1.05)
.033 (0.85)
.018 (0.30)
.019 (0.50)
SOT-23
(1)
.110 (2.80)
.082 (2.10)
.066 (1.70)
.119 (3.04)
(3)
CONSTRUCTION
* One NPN transistors and bias of thin-film resistors in one
package.
(2)
.055 (1.40)
.047 (1.20)
.103 (2.64)
.086 (2.20)
.028 (0.70)
.020 (0.50)
.007 (0.177)
Gnd
In
1
CIRCUIT
2
.045 (1.15)
.033 (0.85)
R2
TR
R1
.002 (0.05)
3
Out
Dimensions in millimeters
SOT-23
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
V
CC
V
IN
I
C
P
TOT
T
STG
T
J
J-S
Note
1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
2004-01
PARAMETER
Supply voltage
Input voltage
DC Output current
Total power dissipation
Storage temperature
Junction temperature
Thermal resistance
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
+30
500
200
+150
150
150
V
V
UNIT
-10
T
amb
25
O
C, Note 1
−55
junction - soldering point
mA
mW
O
C
C
C/W
O
O

 
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