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2N5531

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小326KB,共5页
制造商Solitron Devices Inc
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2N5531概述

Transistor

2N5531规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

2N5531相似产品对比

2N5531 2N5527
描述 Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 30 40
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 5 W 5 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1

 
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