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PDTA123JM: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小724KB，共17页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

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PDTA123JM概述

TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

PDTA123JM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-101
包装说明	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PBCC-N3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

PDTA123JM相似产品对比

	PDTA123JM	PDTA123JT
描述	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
零件包装代码	SC-101	SOT-23
包装说明	1 X 0.60 MM, 0.50 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA SMALL, PLASTIC, SC-101, 3 PIN	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	100	100
JESD-30 代码	R-PBCC-N3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3	e3
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.25 W	0.25 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)
端子形式	NO LEAD	GULL WING
端子位置	BOTTOM	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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