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2N2230

产品描述Power Bipolar Transistor, 10A I(C), NPN, Silicon, MT-1
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小290KB,共4页
制造商Semitronics Corp
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2N2230概述

Power Bipolar Transistor, 10A I(C), NPN, Silicon, MT-1

2N2230规格参数

参数名称属性值
包装说明MT-1
针数1
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)10 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)350
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)0.004 MHz
Base Number Matches1

 
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