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2SA1302R

产品描述TRANSISTOR 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1018KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1302R概述

TRANSISTOR 15 A, 200 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SA1302R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)15 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)35
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)25 MHz
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1
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