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OM6537SP1

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, CERAMIC PACKAGE-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小252KB,共8页
制造商Omnirel Corp
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OM6537SP1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, CERAMIC PACKAGE-6

OM6537SP1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Omnirel Corp
包装说明CERAMIC PACKAGE-6
Reach Compliance Codeunknown
其他特性ULTRA FAST
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)10 A
集电极-发射极最大电压500 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN ISOLATED DIODE
门极发射器阈值电压最大值4 V
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PSFM-T6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)350 ns
标称接通时间 (ton)37 ns

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