Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel, CERAMIC PACKAGE-6
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Omnirel Corp |
| 包装说明 | CERAMIC PACKAGE-6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 其他特性 | ULTRA FAST |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 500 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN ISOLATED DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 4 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T6 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 6 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 350 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 37 ns |
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