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OM6536SF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-10
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB,共2页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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OM6536SF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-10

OM6536SF规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-MDFM-F10
针数10
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)75 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-MDFM-F10
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量10
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON

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OM6535SF
OM6536SF
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
(IGBT) IN A HERMETIC PACKAGE
1000 Volt, 75 Amp, N-Channel IGBT
In A Hermetic Metal Package
FEATURES
Isolated IGBTs In A Hermetic Package
High Input Impedance
Low On-Voltage
High Current Capability
High Switching Speed
Low Tail Current
Available With Free Wheeling Diodes
Available Screened To MIL-S-19500, TX, TXV and S Levels
DESCRIPTION
This IGBT power transistor features the high switching speeds of a power MOSFET
and the low on-resistance of a bipolar transistor. It is ideally suited for high power
switching applications such as frequency converters for 3Ø motors, UPS and high
power SMPS.
MAXIMUM RATINGS
@ 25
PART
NUMBER
OM6535SF
OM6536SF
I
C
(Cont.)
@ 90°C, A
75
75
V
(BR)CES
V
1000
1000
C Unless Specified Otherwise
T
f
(Typ.)
ns
400
400
q
JC
°C/W
.40
.40
P
D
W
315
315
T
J
°C
150
150
4.0
4.0
V
CE (sat)
(Typ.)
V
3.1
SCHEMATICS
Collector
Collector
Gate
Gate
Emitter
Emitter
OM6535SF
OM6536SF
(with Diode)
4 11 R2
Supersedes 2 07 R1
3.1 - 171

OM6536SF相似产品对比

OM6536SF OM6536SFV
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-10 Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-10
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F10 FLANGE MOUNT, R-MDFM-F10
针数 10 10
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 HIGH SPEED HIGH SPEED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 75 A 75 A
集电极-发射极最大电压 1000 V 1000 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码 R-MDFM-F10 R-MDFM-F10
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 2 2
端子数量 10 10
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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