OM6534SFV概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6

OM6534SFV规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)	50 A
集电极-发射极最大电压	1000 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MDFM-F6
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	METAL
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	250 ns
标称接通时间 (ton)	100 ns

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OM6534SFV相似产品对比

	OM6534SFV	OM6534SFT
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6	Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
厂商名称	Omnirel Corp	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6	HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-6
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	HIGH SPEED	HIGH SPEED
最大集电极电流 (IC)	50 A	50 A
集电极-发射极最大电压	1000 V	1000 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码	R-MDFM-F6	R-MDFM-F6
元件数量	2	2
端子数量	6	6
封装主体材料	METAL	METAL
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT
端子位置	DUAL	DUAL
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	250 ns	250 ns
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