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2SB1119-T

产品描述1000mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PCP, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小122KB,共3页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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2SB1119-T概述

1000mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PCP, 3 PIN

2SB1119-T规格参数

参数名称属性值
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值1.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)180 MHz
VCEsat-Max0.7 V
Base Number Matches1

 
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