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2SA885R

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小177KB,共3页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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2SA885R概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN

2SA885R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压35 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)120
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)1.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

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