Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> IR185BG08DPBF

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IR185BG08DPBF: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 800V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小158KB，共3页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IR185BG08DPBF概述

Silicon Controlled Rectifier, 800V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER

IR185BG08DPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER
包装说明	UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	60 mA
JESD-30 代码	O-XUUC-N
元件数量	1
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
重复峰值反向电压	800 V
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40
触发设备类型	SCR

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Bulletin I0209J rev. A 09/99

IR185BG08DCB

PHASE CONTROL THYRISTORS

Junction Size:

Wafer Size:

RRM

Class:

Passivation Process:

Square 185 mils

800 V

Glassivated MESA

Reference IR Packaged Part:

25TTS Series

Major Ratings and Characteristics

Parameters

RRM

Maximum On-state Voltage

Reverse Breakdown Voltage

Max. Required DC Gate Current to Trigger

Max. Required DC Gate Voltage to Trigger

Holding Current Range

Maximum Latching Current

Units

1.25 V

800 V

60 mA

5 to 100 mA

200 mA

Test Conditions

= 25°C, I

= 16 A

= 25°C, I

RRM

= 100 µA

(1)

= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load

Anode supply = 6 V, resistive load

(1)

Nitrogen flow on die edge.

Mechanical Characteristics

Nominal Back Metal Composition, Thickness

Nominal Front Metal Composition, Thickness

Chip Dimensions

Wafer Diameter

Wafer Thickness

Maximum Width of Sawing Line

Reject Ink Dot Size

Ink Dot Location

Recommended Storage Environment

Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)

100% Al, (20µm)

185 x 185 mils (see drawing)

100 mm, with std. <110> flat

350 µm ± 10 µm

130 µm

0.25 mm diameter minimum

See drawing

Storage in original container, in dessicated

nitrogen, with no contamination

www.irf.com

IR185BG08DPBF相似产品对比

	IR185BG08DPBF	IR185BG08DCBPBF	IR185BG08D
描述	Silicon Controlled Rectifier, 800V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER	Silicon Controlled Rectifier, 800V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER	Silicon Controlled Rectifier, 80V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
是否Rohs认证	符合	符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	WAFER	WAFER	WAFER
包装说明	UNCASED CHIP, O-XUUC-N	UNCASED CHIP, O-XUUC-N	UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大直流栅极触发电流	60 mA	60 mA	60 mA
JESD-30 代码	O-XUUC-N	O-XUUC-N	O-XUUC-N
元件数量	1	1	1
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP	UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
重复峰值反向电压	800 V	800 V	800 V
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	40	40	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR
是否无铅	不含铅	不含铅	-

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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