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2SA1800-Y

产品描述TRANSISTOR 0.15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小106KB,共3页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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2SA1800-Y概述

TRANSISTOR 0.15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power

2SA1800-Y规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压250 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)240 MHz
Base Number Matches1

2SA1800-Y相似产品对比

2SA1800-Y 2SA1800-R 2SA1800-O
描述 TRANSISTOR 0.15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 0.15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power TRANSISTOR 0.15 A, 250 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, BIP General Purpose Power
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 0.15 A 0.15 A 0.15 A
集电极-发射极最大电压 250 V 250 V 250 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 40 60
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 240 MHz 240 MHz 240 MHz
Base Number Matches 1 1 -
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