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ISL6612ACB: 产品描述HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8; 产品类别模拟混合信号IC 驱动程序和接口; 文件大小942KB，共13页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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ISL6612ACB概述

HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8

ISL6612ACB规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
厂商名称	Rochester Electronics
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
高边驱动器	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.9 mm
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
最高工作温度	85 °C
最低工作温度
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
认证状态	COMMERCIAL
座面最大高度	1.75 mm
最大供电电压	13.2 V
最小供电电压	10.8 V
标称供电电压	12 V
电源电压1-最大	13.2 V
电源电压1-分钟	5 V
电源电压1-Nom	12 V
表面贴装	YES
温度等级	OTHER
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm

ISL6612ACB相似产品对比

	ISL6612ACB	ISL6612AIB	ISL6612ACB-T	ISL6612ACR	ISL6613AEIB	ISL6612AECB	ISL6613ACB	ISL6613ACR
描述	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO10, 3 X 3 MM, PLASTIC, DFN-10	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, SOIC-8	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO8, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8	HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PDSO10, 3 X 3 MM, PLASTIC, DFN-10
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics	Rochester Electronics
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	DFN	SOIC	SOIC	SOIC	DFN
包装说明	SOP,	SOP,	SOP,	HVSON,	HLSOP,	HLSOP,	SOP,	HVSON,
针数	8	8	8	10	8	8	8	10
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
高边驱动器	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
接口集成电路类型	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER	HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	S-PDSO-N10	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	S-PDSO-N10
长度	4.9 mm	4.9 mm	4.9 mm	3 mm	4.89 mm	4.89 mm	4.9 mm	3 mm
湿度敏感等级	1	1	1	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	10	8	8	8	10
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	HVSON	HLSOP	HLSOP	SOP	HVSON
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, LOW PROFILE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240	240
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
座面最大高度	1.75 mm	1.75 mm	1.75 mm	1 mm	1.68 mm	1.68 mm	1.75 mm	1 mm
最大供电电压	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V
最小供电电压	10.8 V	10.8 V	10.8 V	10.8 V	10.8 V	10.8 V	10.8 V	10.8 V
标称供电电压	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
电源电压1-最大	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V	13.2 V
电源电压1-分钟	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
电源电压1-Nom	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V	12 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
温度等级	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	INDUSTRIAL	OTHER	OTHER	OTHER
端子面层	TIN LEAD	NOT SPECIFIED	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	NO LEAD	GULL WING	GULL WING	GULL WING	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED	30	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3 mm	3.9 mm	3.9 mm	3.9 mm	3 mm
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0

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