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2SC1846Q: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小88KB，共4页; 制造商Panasonic(松下); 官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html; 标准

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2SC1846Q概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN

	2SC1846Q	2SC1846S
描述	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 35V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-126B-A1, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	SIP	SIP
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	35 V	35 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	85	170
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	1.2 W	1.2 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz
Base Number Matches	1	1

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